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IMD10AT108 商品描述 |
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| 商品名称 | IMD10AT108 |
| 厂家品牌 | Rohm Semiconductor |
| 商品资料 | Datasheet |
| 商品分类 | 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 |
| 商品描述 | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 |
| 现货库存 | 待更新 |
IMD10AT108 规格参数 |
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| 制造商统称 | ROHM/罗姆 |
| 制造商统称 | Rohm Semiconductor |
| 类目 | 未设 |
| 替代选料 | 未设定 |
| *1晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| *2集电极-最大电流(ic) | 100mA，500mA |
| *3集射极-击穿电压(最大值) | 50V |
| *4基底R1电阻(欧姆)4 | 10 千欧，100 欧姆 |
| *5发射极基底R2电阻(欧姆)5 | 10 千欧 |
| 不同?Ic，Vce?时的 | 300mV @ 1mA，10mA / 300mV @ 5mA，100mA |
| 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 300mV @ 1mA，10mA / 300mV @ 5mA，100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 频率 - 跃迁 | 250MHz，200MHz |
| *6最大功率值 | 300mW |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 供应商器件封装 | SMT6 |
| 工作温度 | - |
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