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RN1911FETE85LF 商品描述 |
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| 商品名称 | RN1911FETE85LF |
| 厂家品牌 | Toshiba Semiconductor |
| 商品资料 | Datasheet |
| 商品分类 | 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 |
| 商品描述 | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| 现货库存 | 待更新 |
RN1911FETE85LF 规格参数 |
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| 制造商统称 | 未设定 |
| 制造商统称 | Toshiba Semiconductor |
| 类目 | 未设 |
| 替代选料 | 未设定 |
| *1晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| *2集电极-最大电流(ic) | 100mA |
| *3集射极-击穿电压(最大值) | 50V |
| *4基底R1电阻(欧姆)4 | 10 千欧 |
| *5发射极基底R2电阻(欧姆)5 | - |
| 不同?Ic，Vce?时的 | 300mV @ 250µA，5mA |
| 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 300mV @ 250µA，5mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA（ICBO） |
| 频率 - 跃迁 | 250MHz |
| *6最大功率值 | 100mW |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装 | ES6 |
| 工作温度 | - |
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