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MUN5116DW1T1G 商品描述 |
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| 商品名称 | MUN5116DW1T1G |
| 厂家品牌 | ON Semiconductor |
| 商品资料 | Datasheet |
| 商品分类 | 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 |
| 商品描述 | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
| 现货库存 | 待更新 |
MUN5116DW1T1G 规格参数 |
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| 制造商统称 | 未设定 |
| 制造商统称 | ON Semiconductor |
| 类目 | 未设 |
| 替代选料 | 未设定 |
| *1晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| *2集电极-最大电流(ic) | 100mA |
| *3集射极-击穿电压(最大值) | 50V |
| *4基底R1电阻(欧姆)4 | 4.7 千欧 |
| *5发射极基底R2电阻(欧姆)5 | - |
| 不同?Ic，Vce?时的 | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 频率 - 跃迁 | - |
| *6最大功率值 | 250mW |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 工作温度 | - |
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