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ULN2003V12S16-13 商品描述 |
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| 商品名称 | ULN2003V12S16-13 |
| 厂家品牌 | Diodes Incorporated |
| 商品资料 | Datasheet |
| 商品分类 | 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 |
| 商品描述 | IC PWR RELAY N-CHAN 1:1 16SO |
| 现货库存 | 待更新 |
ULN2003V12S16-13 规格参数 |
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| 制造商统称 | DIODES/美台 |
| 制造商统称 | Diodes Incorporated |
| 类目 | 未设 |
| 替代选料 | 未设定 |
| *1晶体管类型1 | 7 NPN 达林顿 |
| *2集电极最大电流(ic) | 500mA |
| *3集射极-击穿电压(最大值) | 20V |
| 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） | 1.6V @ 500µA，350mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 50µA |
| 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值） | - |
| *4最大功率值 | - |
| *5频率-跃迁 | - |
| *6工作温度 | -40°C ~ 125°C （TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 16-SOIC(3.90mm宽) |
| 供应商器件封装 | 16-SO |
| 元器件等级 | - |
| 标签 | |
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