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SI7232DN-T1-GE3-VB 商品描述 |
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| 商品名称 | SI7232DN-T1-GE3-VB |
| 厂家品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| 商品资料 | Datasheet |
| 商品分类 | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 |
| 商品描述 | DFN8(3X3)；2个N—Channel沟道,20V；25A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=4.5V,VGS=8V；Vth=0.4~1V； |
| 现货库存 | 待更新 |
SI7232DN-T1-GE3-VB 规格参数 |
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| 制造商统称 | VBsemi/微碧 |
| 制造商统称 | VBsemi(微碧半导体) |
| 类目 | 未设 |
| 替代选料 | 未设定 |
| *1Fet类型*1 | |
| *5Fet功能*5 | |
| *2漏源极电压(vdss)*2 | |
| *3电流-连续漏极(id)*3 | |
| 不同id，vgs 时的rds on（最大值） | |
| 不同 id 时的 vgs（th）（最大值） | |
| 不同 vgs 时的栅极电荷（qg） | |
| 不同 vds 时的输入电容（ciss） | |
| *4最大功率值*4 | |
| *6工作温度*6 | |
| 安装类型 | |
| 封装/外壳 | |
| 供应商器件封装 | DFN8(3X3) |
| 元器件等级 | - |
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