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ZXTD6717E6QTA 商品描述 |
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| 商品名称 | ZXTD6717E6QTA |
| 厂家品牌 | Diodes Incorporated |
| 商品资料 | Datasheet |
| 商品分类 | 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 |
| 商品描述 | SS LOW SAT TRANSISTOR SOT26 |
| 现货库存 | 待更新 |
ZXTD6717E6QTA 规格参数 |
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| 制造商统称 | DIODES/美台 |
| 制造商统称 | Diodes Incorporated |
| 类目 | 未设 |
| 替代选料 | 未设定 |
| *1晶体管类型1 | NPN，PNP |
| *2集电极最大电流(ic) | 1.5A，1.25A |
| *3集射极-击穿电压(最大值) | 15V，12V |
| 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） | 245mV @ 20mA，1.5A / 240mV @ 100mA，1.25A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 10nA |
| 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值） | 300 @ 100mA，2V |
| *4最大功率值 | 1.1W |
| *5频率-跃迁 | 180MHz，220MHz |
| *6工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 供应商器件封装 | SOT-26 |
| 元器件等级 | - |
| 标签 | |
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