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NSS40302PDR2G 商品描述 |
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| 商品名称 | NSS40302PDR2G |
| 厂家品牌 | ON Semiconductor |
| 商品资料 | Datasheet |
| 商品分类 | 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 |
| 商品描述 | TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC |
| 现货库存 | 待更新 |
NSS40302PDR2G 规格参数 |
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| 制造商统称 | 未设定 |
| 制造商统称 | ON Semiconductor |
| 类目 | 未设 |
| 替代选料 | 未设定 |
| *1晶体管类型1 | NPN，PNP |
| *2集电极最大电流(ic) | 3A |
| *3集射极-击穿电压(最大值) | 40V |
| 不同ib，ic 时的vce 饱和值（最大值） | 115mV @ 200mA，2A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同ic，vce时的 dc 电流增益（hfe）（最小值） | 180 @ 1A，2V |
| *4最大功率值 | 653mW |
| *5频率-跃迁 | 100MHz |
| *6工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm) |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 元器件等级 | - |
| 标签 | |
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