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BC847B/DG/B4R 商品描述 |
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| 商品名称 | BC847B/DG/B4R |
| 厂家品牌 | Nexperia USA Inc. |
| 商品资料 | Datasheet |
| 商品分类 | 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 |
| 商品描述 | TRANSISTOR GEN PURP |
| 现货库存 | 待更新 |
BC847B/DG/B4R 规格参数 |
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| 制造商统称 | Nexperia/安世 |
| 制造商统称 | Nexperia USA Inc. |
| 类目 | 未设 |
| 替代选料 | 未设定 |
| *1晶体管类型 | NPN |
| *3电流-集电极(ic)(最大值) | 100mA |
| *2电压-集射极击穿(最大值) | 45V |
| 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值） | 400mV @ 5mA，100mA |
| *6电流-集电极截止(最大值) | 15nA（ICBO） |
| *7不同?ic，vce时的dc电流增益（hfe）（最小值）*7 | 200 @ 2mA，5V |
| *5功率-最大值 | 200mW |
| *4频率-跃迁 | 100MHz |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 每包数量 | |
| 最小起订MOQ | 50 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | TO-236AB |
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