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2N3506A 商品描述 |
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| 商品名称 | 2N3506A |
| 厂家品牌 | Microsemi Corporation |
| 商品资料 | Datasheet |
| 商品分类 | 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 |
| 商品描述 | NPN POWER SILICON TRANSISTORS |
| 现货库存 | 待更新 |
2N3506A 规格参数 |
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| 制造商统称 | 未设定 |
| 制造商统称 | Microsemi Corporation |
| 类目 | 未设 |
| 替代选料 | 未设定 |
| *1晶体管类型 | - |
| *3电流-集电极(ic)(最大值) | - |
| *2电压-集射极击穿(最大值) | - |
| 不同?ib，ic 时的?vce 饱和值（最大值） | - |
| *6电流-集电极截止(最大值) | - |
| 不同?ic，vce?时的 dc 电流增益（hfe）（最小值） | - |
| *5功率-最大值 | - |
| *4频率-跃迁 | - |
| 安装类型 | - |
| 工作温度 | - |
| 每包数量 | |
| 最小起订MOQ | 10 |
| 封装/外壳 | - |
| 供应商器件封装 | - |
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