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SI3900DV-T1-E3 商品描述 |
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| 商品名称 | SI3900DV-T1-E3 |
| 厂家品牌 | Vishay |
| 商品资料 | Datasheet |
| 商品分类 | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 |
| 商品描述 | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP |
| 现货库存 | 待更新 |
SI3900DV-T1-E3 规格参数 |
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| 制造商统称 | Vishay/威世 |
| 制造商统称 | Vishay |
| 类目 | 未设 |
| 替代选料 | 未设定 |
| *1Fet类型*1 | 2 N-通道（双） |
| *5Fet功能*5 | 逻辑电平门 |
| *2漏源极电压(vdss)*2 | 20V |
| *3电流-连续漏极(id)*3 | 2A |
| 不同id，vgs 时的rds on（最大值） | 125 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| 不同 id 时的 vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 vgs 时的栅极电荷（qg） | 4nC @ 4.5V |
| 不同 vds 时的输入电容（ciss） | - |
| *4最大功率值*4 | 830mW |
| *6工作温度*6 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 元器件等级 | - |
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