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SI1926DL-T1-GE3 商品描述 |
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| 商品名称 | SI1926DL-T1-GE3 |
| 厂家品牌 | Vishay |
| 商品资料 | Datasheet |
| 商品分类 | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 |
| 商品描述 | MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363 |
| 现货库存 | 待更新 |
SI1926DL-T1-GE3 规格参数 |
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| 制造商统称 | Vishay/威世 |
| 制造商统称 | Vishay |
| 类目 | 未设 |
| 替代选料 | 未设定 |
| *1Fet类型*1 | 2 N-通道（双） |
| *5Fet功能*5 | 逻辑电平门 |
| *2漏源极电压(vdss)*2 | 60V |
| *3电流-连续漏极(id)*3 | 370mA |
| 不同id，vgs 时的rds on（最大值） | 1.4 欧姆 @ 340mA，10V |
| 不同 id 时的 vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 vgs 时的栅极电荷（qg） | 1.4nC @ 10V |
| 不同 vds 时的输入电容（ciss） | 18.5pF @ 30V |
| *4最大功率值*4 | 510mW |
| *6工作温度*6 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | SC-70-3（SOT323） |
| 元器件等级 | - |
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