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IPD65R650CEATMA1 商品描述 |
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| 商品名称 | IPD65R650CEATMA1 |
| 厂家品牌 | Infineon Technologies |
| 商品资料 | Datasheet |
| 商品分类 | 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 商品描述 | MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252 |
| 现货库存 | 待更新 |
IPD65R650CEATMA1 规格参数 |
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| 制造商统称 | Infineon/英飞凌 |
| 制造商统称 | Infineon Technologies |
| 类目 | 未设 |
| 替代选料 | 未设定 |
| *1Fet类型*1 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| *2漏源极电压(vdss)*2 | 650V |
| *3电流-连续漏极(id)*3 | 10.1A（Tc） |
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
| 不同id,vgs 时的rds on | 650 毫欧 @ 2.1A，10V |
| 不同 id 时的 vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 0.21mA |
| 不同 vgs 时的栅极电荷(qg) | 23nC @ 10V |
| *4Vgs(最大值)*4 | ±20V |
| 不同vds 时的输入电容（ciss） | 440pF @ 100V |
| fet 功能 | 超级结 |
| *5功率-最大值* | 86W（Tc） |
| *6工作温度* | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
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