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SI3469DV-T1-GE3-VB 商品描述 |
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| 商品名称 | SI3469DV-T1-GE3-VB |
| 厂家品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| 商品资料 | Datasheet |
| 商品分类 | 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 商品描述 | SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V； |
| 现货库存 | 待更新 |
SI3469DV-T1-GE3-VB 规格参数 |
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| 制造商统称 | VBsemi/微碧 |
| 制造商统称 | VBsemi(微碧半导体) |
| 类目 | 未设 |
| 替代选料 | 未设定 |
| *1Fet类型*1 | P—Channel沟道 |
| 技术 | |
| *2漏源极电压(vdss)*2 | 30V |
| *3电流-连续漏极(id)*3 | 8A |
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | |
| 不同id,vgs 时的rds on | |
| 不同 id 时的 vgs(th)(最大值) | |
| 不同 vgs 时的栅极电荷(qg) | |
| *4Vgs(最大值)*4 | |
| 不同vds 时的输入电容（ciss） | |
| fet 功能 | |
| *5功率-最大值* | |
| *6工作温度* | |
| 安装类型 | |
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