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CHMP830JGP-A-VB 商品描述 |
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| 商品名称 | CHMP830JGP-A-VB |
| 厂家品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| 商品资料 | Datasheet |
| 商品分类 | 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 商品描述 | SOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V； |
| 现货库存 | 待更新 |
CHMP830JGP-A-VB 规格参数 |
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| 制造商统称 | VBsemi/微碧 |
| 制造商统称 | VBsemi(微碧半导体) |
| 类目 | 未设 |
| *fet 类型 | P—Channel沟道 |
| 技术 | |
| *漏源极电压（vdss） | 30V |
| *电流 - 连续漏极(id) | 9A |
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | |
| 不同id,vgs 时的rds on | |
| 不同 id 时的 vgs(th)(最大值) | |
| 不同 vgs 时的栅极电荷(qg) | |
| *Vgs(最大值) | |
| 不同vds 时的输入电容（ciss） | |
| *fet 功能 | |
| *功率 - 最大值 | |
| 工作温度 | |
| 安装类型 | |
| 封装/外壳 | |
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