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SIRA06DP-T1-GE3 商品描述 |
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| 商品名称 | SIRA06DP-T1-GE3 |
| 厂家品牌 | Vishay |
| 商品资料 | Datasheet |
| 商品分类 | 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 商品描述 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 |
| 现货库存 | 待更新 |
SIRA06DP-T1-GE3 规格参数 |
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| 制造商统称 | Vishay/威世 |
| 制造商统称 | Vishay |
| 类目 | 未设 |
| 替代选料 | 未设定 |
| *1Fet类型*1 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| *2漏源极电压(vdss)*2 | 30V |
| *3电流-连续漏极(id)*3 | 40A（Tc） |
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V，10V |
| 不同id,vgs 时的rds on | 2.5 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 id 时的 vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
| 不同 vgs 时的栅极电荷(qg) | 77nC @ 10V |
| *4Vgs(最大值)*4 | +20V，-16V |
| 不同vds 时的输入电容（ciss） | 3595pF @ 15V |
| fet 功能 | - |
| *5功率-最大值* | 5W（Ta），62.5W（Tc） |
| *6工作温度* | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
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