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SSM6J503NU,LF(T 商品描述 |
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| 商品名称 | SSM6J503NU,LF(T |
| 厂家品牌 | Toshiba Semiconductor |
| 商品资料 | Datasheet |
| 商品分类 | 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 商品描述 | MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A |
| 现货库存 | 待更新 |
SSM6J503NU,LF(T 规格参数 |
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| 制造商统称 | 未设定 |
| 制造商统称 | Toshiba Semiconductor |
| 类目 | 未设 |
| 替代选料 | 未设定 |
| *1Fet类型*1 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 技术 | |
| *2漏源极电压(vdss)*2 | 20V |
| *3电流-连续漏极(id)*3 | 6A（Ta） |
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | |
| 不同id,vgs 时的rds on | 32.4 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 不同 id 时的 vgs(th)(最大值) | 1V @ 1mA |
| 不同 vgs 时的栅极电荷(qg) | 12.8nC @ 10V |
| *4Vgs(最大值)*4 | |
| 不同vds 时的输入电容（ciss） | 840pF @ 10V |
| fet 功能 | 逻辑电平栅极，1.5V 驱动 |
| *5功率-最大值* | 1W |
| *6工作温度* | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
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