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TPS1101DG4 商品描述 |
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| 商品名称 | TPS1101DG4 |
| 厂家品牌 | Texas Instruments |
| 商品资料 | Datasheet |
| 商品分类 | 晶体管 - FET，MOSFET - 单 |
| 商品描述 | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC |
| 现货库存 | 待更新 |
TPS1101DG4 规格参数 |
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| 制造商统称 | TI/德州仪器 |
| 制造商统称 | Texas Instruments |
| 类目 | 未设 |
| 替代选料 | 未设定 |
| *fet 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 技术 | |
| *漏源极电压（vdss） | 15V |
| *电流 - 连续漏极(id) | 2.3A（Ta） |
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | |
| 不同id,vgs 时的rds on | 90 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 不同 id 时的 vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
| 不同 vgs 时的栅极电荷(qg) | 11.25nC @ 10V |
| *Vgs(最大值) | |
| 不同vds 时的输入电容（ciss） | - |
| *fet 功能 | 标准 |
| *功率 - 最大值 | 791mW |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
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