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70T3519S200BCG 商品描述 |
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| 商品名称 | 70T3519S200BCG |
| 厂家品牌 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 商品资料 | Datasheet |
| 商品分类 | 存储器 |
| 商品描述 | IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA |
| 现货库存 | 待更新 |
70T3519S200BCG 规格参数 |
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| 制造商统称 | 未设定 |
| 制造商统称 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 类目 | 未设 |
| 替代选料 | 未设定 |
| *5存储器类型5 | 易失 |
| *1存储器格式1 | SRAM |
| 技术 | SRAM - 双端口，同步 |
| *2存储容量2 | 9Mb （256K x 36） |
| 存储器组织 | |
| *3存储器接口3 | 3.4ns |
| 时钟频率 | 并联 |
| 写周期时间 - 字，页 | 200MHz |
| 访问时间 | - |
| *4电压-电源4 | 2.4V ~ 2.6V |
| *6工作温度6 | 0°C ~ 70°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 256-LBGA |
| 供应商器件封装 | 256-CABGA（17x17） |
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