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NAND16GW3D2BN6E 商品描述 |
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| 商品名称 | NAND16GW3D2BN6E |
| 厂家品牌 | Micron Technology Inc. |
| 商品资料 | Datasheet |
| 商品分类 | 存储器 |
| 商品描述 | IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP |
| 现货库存 | 待更新 |
NAND16GW3D2BN6E 规格参数 |
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| 制造商统称 | 未设定 |
| 制造商统称 | Micron Technology Inc. |
| 类目 | 未设 |
| 替代选料 | 未设定 |
| *5存储器类型5 | 非易失 |
| *1存储器格式1 | 闪存 |
| 技术 | 闪存 - NAND |
| *2存储容量2 | 16Gb （2G x 8） |
| 存储器组织 | |
| *3存储器接口3 | 25ns |
| 时钟频率 | 并联 |
| 写周期时间 - 字，页 | 并联 |
| 访问时间 | 25ns |
| *4电压-电源4 | 2.7V ~ 3.6V |
| *6工作温度6 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 48-TFSOP(18.40mm 宽) |
| 供应商器件封装 | 48-TSOP |
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