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RM25C512C-LSNI-B 商品描述 |
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| 商品名称 | RM25C512C-LSNI-B |
| 厂家品牌 | Adesto Technologies |
| 商品资料 | Datasheet |
| 商品分类 | 存储器 |
| 商品描述 | IC CBRAM 512K SPI 20MHZ 8SOIC |
| 现货库存 | 待更新 |
RM25C512C-LSNI-B 规格参数 |
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| 制造商统称 | Renesas(Adesto阿第克)/瑞萨 |
| 制造商统称 | Adesto Technologies |
| 类目 | 未设 |
| 替代选料 | 未设定 |
| *5存储器类型5 | 非易失 |
| *1存储器格式1 | CBRAM® |
| 技术 | CBRAM |
| *2存储容量2 | 512kb（128B 页大小） |
| 存储器组织 | |
| *3存储器接口3 | 1.65V ~ 3.6V |
| 时钟频率 | SPI |
| 写周期时间 - 字，页 | 20MHz |
| 访问时间 | 100µs，5ms |
| *4电压-电源4 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| *6工作温度6 | 表面贴装型 |
| 安装类型 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm) |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
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